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IXTY08N100D2 IXTA08N100D2
IXTP08N100D2
1,000
Fig. 13. Capacitance
5
Fig. 14. Gate Charge
4
V DS = 500V
Ciss
3
2
I D = 400mA
I G = 1mA
100
1
10
1
f = 1 MHz
Coss
Crss
0
-1
-2
-3
-4
-5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
2
4
6
8
10
12
14
16
10.00
V DS - Volts
Fig. 15. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
R DS(on) Limit
10.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 16. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 75oC
R DS(on) Limit
1.00
25μs
100μs
1.00
25μs
100μs
1ms
0.10
T J = 150oC
DC
10ms
100ms
0.10
T J = 150oC
1ms
10ms
100ms
0.01
T C = 25oC
Single Pulse
0.01
T C = 75oC
Single Pulse
DC
10
100
1,000
10
100
1,000
10.0
1.0
0.1
V DS - Volts
Fig. 17. Maximum Transient Thermal Impedance
V DS - Volts
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: T_08N100D2(1C)8-25-09
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